栅漏
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Gate to Drain Contact Spaces 栅极到漏极接触孔
gate to drain breakdown voltage 栅漏击穿电压
drain-to-gate voltage 栅漏电压
gate to drain
排水门
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Various MOSFET tests require making low current measurements. Some of these tests include gate leakage, leakage current vs. temperature, substrate to-drain leakage, and sub-threshold current.
各种MOSFET测试都要求进行弱电流的测量。这些测试包括栅极漏电、泄漏电流与温度的关系、衬底对漏极的漏电和亚阈区电流等。
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