...例如:发光二极体、雷射二极体、短波长探测器、短波长光 波导及滤波器等,并且氧化锌具有较大的激子束缚能(exciton binding energy)约60 meV,而与其它宽能隙半导体材料相比(表1-1),氮化镓的25 meV、硫化锌的37 meV,从表中得知氧化锌的激子束缚能比其它半导体材料...
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... exciton binding energy 激子结合能 收藏 Evolvement of word pattern 词形演变 收藏 Evolvement of word meaning 词义演变 收藏 ...
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Zinc oxide（ZnO）is an interesting wide band gap（3.3 eV at room temperature）Ⅱ-Ⅵsemiconductor material,which has a much larger exciton binding energy（60 mev）than GaN（～25 meV）and ZnSe（22 meV）.
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温宽带隙约为3.3 eV,它的激子束缚能高达60 meV,远大于GaN的25 meV和ZnSe的22 meV。
参考来源 - ZnO薄膜的制备及其特性研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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