EOT

但是，将这种高k/金属栅整合到MOS器件中还引起诸如平带偏移和阈值电压增加等严重挑战。此外，对于低于1纳米等效氧化物厚度(EOT)Si基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，偏压温度不稳定性(BTI)是限制器件可靠性的最关键问题之一。