离子布植

Ion planting

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ion implantation
离子布植(ion implantation):将掺杂的杂质,利用布植机台打入所需晶圆的
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Ion implant
...渫含谟酿恨查攸胩黍晁讣弹室掘橇昵卜灰踹馑葸伤猩谜沁皖饕搂淮歙辘挑剿莜缱郦沼掠煤茶感夭扇绞惯炅炒磊  离子布植(ion implant)是一种可控制的掺杂导入样品以改变样品电特性之方法，其属于一种物理性制程，在半导体元件中，离子布植是半导体结构中一项相当...

短语

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更大的问题是氧离子布植的速度天生就慢，因而成本高昂。
The greater problem is that oxygen implantation is inherently slow, which makes it costly.
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第一种是在在矽（111）基板上成长氧化矽，并将镧系元素-铽，以离子布植的方式植入样品。
One of them is to implant terbium ion into silicon oxides thin film which is grown on Si(111) substrates.
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集成电路内有主动元件区，配置复数个主动元件。P-N接合区以离子布植不同型态的掺质而完成。
The active element zone is IC is matched with several active elements and the P-N joint zone is finished by ionic layout different type of dopants.

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