微晶硅

1
uc-Si
为了提高转化效率，ULVAC开发出了具有非晶硅和微晶硅（uc-Si）的双结模块。由于其带宽不同，a-Si适合波长较短的应用，而uc-Si则适合波长较长的应用。
2
mc-Si
在350°C下，于结晶硅层的顶部淀积厚75nm的n+微晶硅（mc-Si）作为源/漏极。原来的多晶硅层用活性离子腐蚀成TFT花样，n+ mc-Si也用活性离子腐蚀法刻蚀成源/漏极。
3
nc-Si
（a-Si）及微晶硅（nc-Si）半导体薄膜，并将其用于太阳能光电转换应用。薄膜太阳能电池——用于玻璃幕墙、光伏建筑一体化工程、太阳能灯具等工程。

短语

1
微晶硅技术
Microcrystalline-Silicon Technology ; Microcrystalline Silicon TFT
2
微晶硅叠层
ZY-T
3
微晶硅薄膜
hydrogenated microcrystalline silicon thin film ; microcrystalline silicon thin films

1
采用VHF-PECVD技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。
Series of microcrystalline silicon thin films were fabricated by VHF-PECVD at different substrate temperatures (Ts).
2
实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段。
To realize high deposition rate is an important problem in low-cost industrialization of microcrystalline silicon solar cells.
3
结果表明：薄膜由非晶硅结构转变为微晶硅结构，微晶硅晶粒尺寸在纳米级。
The results indicate that the amorphous film gradually transfers into microcrystalline Si, and the grain size is nanometer order of magnitude.

微晶硅
名称：微晶硅;纳米晶硅;microcrystalline silicon μc-Si 又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。

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