失配位错

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Misfit Dislocation
...8—02—01，收到修改稿日期：200&田8—19 作者简介：程东，男，1972年生，副教授，博士相关，如失配位错（misfit dislocation）的影响等．因此，数值模拟分析就成了解决上述多层膜问题的重要方法．本文拟分别采用三维和二维分子动力学方法（模型尺度的选取...

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失配位错的类型分为刃型失配位错，位错线沿〈100〉方向；
One was pure edge misfit dislocations with line directions of <100>;
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净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子阱稳定的重要判据。
The net stress is a driving force of misfit dislocation multiplication and is a very important factor for strained MQWs stability.
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在考虑存在失配位错的情况下，计算了驰豫晶格失配、曲率半径和失配位错密度。
In the case of considering the misfit dislocation, relaxed lattice mismatch, the radius of curvature and density of misfit dislocation were calculated.

失配位错
失配位错misfitdisloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错

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