Cree 的 GaN HEMT 微波功率放大器件：宽禁带（Wide Band Gap）材料，导热性能好、击穿电压高、饱和电子迁移速度高（适合做高频宽带器件）、功率密度大（单位栅宽功率），极间电容 / 单位功率小...
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在金属氧化物疛奈米线型结构之中，以几个宽频 带(wide band gap)疛材敊，如氧化铟(In2O3)、氧化锌 (ZnO)、氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、氧化锡(SnO2) 等最具付表性，其中氧化铟及氧化锌本身具备有...
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氮化镓（GaN）是一种宽带隙（wide band gap，WB 发表于：2017-07-20 17:05:35 纳智捷全新小型SUV或8月25日开启预售: 【太平洋汽车网 新车频道】根据我们从国内其它媒体得到的...
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wide band-gap 宽能阶
wide band-gap semiconductor materials 宽带隙半导体材料
wide-band-gap 宽带隙
wide-band gap 宽带隙
direct wide band gap 直接能带
wide band-gap device 宽带隙器件
Wide-band gap material 宽禁带材料
wide band gap materials 宽带隙半导体材料
wide-band-gap semiconductors 宽带隙半导体
The The results indicate that titanium oxide films have wide band gap and better blood-compatibility than LTIC.
研究表明，氧化钛薄膜具有宽禁带的半导体特性，血液相容性优于热解碳。
The present invention relates to the MOCVD equipment and process of growing semiconductor ZnO film with wide band gap.
本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的MOCVD设备及其工艺。
Other interesting properties of these materials include their wide band gap, stability under high temperature and chemical inertness.
除超硬性质以外，这些材料大都具有宽带隙、高温稳定性、化学惰性等优良的物理化学性质。
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