...处: 《功能材料》2005年02期 兵器材料科学与工程 超声化学共沉淀法合成纳米ITO粉体及其电磁特性研究 氧化铟锡(Indium tin oxide,简称ITO)是一种N型半导体材料,晶体呈复杂的体心立方铁锰矿型结构[1-2]。
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...与显示》2008年01期 技重大专项(No.2004HZ01-2) 【分类号】: TN873 【正文快照】: 1引言近来年,掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide,ITO)作为一种用半导体材料制备而成的透明导电薄膜,在许多行业引起了人们的广泛关注[1,2]。
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...中南大学》 2007年 加入收藏 软化学法制备纳米ITO材料及其介孔组装体系研究 朱协彬 【摘要】: 铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)是一种重要的铟材料,约占铟产品总量的60%以上,是一种高度简并的N型半导体,因其具有优异的光电性能,而在电子工业、汽车工...
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indium-tin oxide 铟锡氧化玻璃 ; 氧化铟锡 ; 铟锡氧化物
Indium-Tin Oxide target 氧化铟锡靶材
indium tin oxide ITO 氧化铟锡
indium tin oxide pixel electrodes 铟锡氧化物像素电极
indium-tin-oxide 氧化物 ; 铟锡氧化物
ITO Indium Tin Oxide 氧化铟锡
Indium Tin Oxide-ITO 氧化铟锡
indium-tin oxide ito 掺锡氧化铟
Indium tin oxide (ITO) thin film was widely used as the anode of OLED due to its high electric conductivity and transparency in visual range.
1.氧化铟锡(ITO)导电薄膜由于具有良好的导电性和透明性而广泛被用作OLED器件的阳极。
参考来源 - 有机电致发光器件性能优化及影响因素的研究·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
一种是氧化锡铟。
The properties and applications, preparation and market situation of indium tin oxide (ITO) films were reviewed.
对铟锡氧化物(I T O)薄膜的特性和应用,制备方法以及市场情况进行了综述。
The first electrode which is in contact with the organic layer is formed from indium tin oxide containing titanium oxide.
与所述有机层相接触的第一电极是用包含氧化钛的氧化锡铟制成的。
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