的特性，诸如C-VG，ID-VGS和漏极电流 - 漏极电压（ID-VDS），仿照分别与各种接口层和SiO 2层的厚度。界面层和SiO2层较厚的，更糟糕的晶体管特性成为。
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存储器窗口宽度的MFSFET超过1.6 V的操作与作为栅极电介质材料使用的PVDF薄膜MFSFET所示在漏极电流 - 漏极电压特性（ID-VD）。使用PVDF作为铁电体层的MFSFET已用于在低电压操作的一个晶体管（1T）型的铁电随机存取存储器（FeRAM的）使用有机材料的潜力。
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