FZ-Si（区熔硅）中氧含量精密度为±20%，检测下限为1×1016 cm-3 。符合“硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法”国家标准(GB/T 1557-89)的要求。
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区熔单晶硅(FZ-SI)是利用悬浮区熔技术制备的单晶硅。区融单晶硅纯度更高，是用
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地区范围熔单晶(fz-si)今朝首要用于大功率半导体部件,好比整流二极管,硅可控整流器,大功率形成晶体体管等
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